| Длина волны | 850±20 нм |
|---|---|
| Выходная мощность | 1…4 мВт |
| Нестабильность выходной мощности | < 3% /< 2% / < 1%/ < 0,5% |
| Режим работы | непрерывный (CW) |
| Модовый состав поперечный | Near TEM00 |
| Размер луча на выходе | <2,5 мм (по уровню 1/e2) |
| Расходимость | <1,5 мрад (полный угол) |
| Качество луча М2 | <1,5 |
| Ширина спектральной линии | ~35 нм |
| Модуляция | Нет / TTL (1Гц…1кГц, 1кГц…10кГц, 10кГц…30кГц, 30кГц…100кГц) / Аналоговая |
| Время выхода в режим | <5 минут |
| Диапазон рабочих температур | +10…+35 ℃ |
| Охлаждение | Воздушное принудительное |
| Габариты лазерного излучателя | 143,5×73×46,2 мм |
| Производство | Китай |
| Тип лазера | Диодный |
| Модовый состав | Одномодовый |
Лазер инфракрасный CLS-N-III-850-SLD
Высокостабильная лазерная система, излучающая в инфракрасной области спектра (850нм). Диодный (полупроводниковый) лазер поставляется в комплекте с лазерным драйвером (блоком питания) со встроенным контролем температуры и электрического тока.
При заказе необходимо указать тип лазерного драйвера, требуемое значение мощности, стабильности мощности, наличие/отсутствие модуляции.
