Недавно учеными из Общества Макса Планка было открыто, что во время воздействия на полупроводник из оксида цинка с помощью лазера, его можео преобразовывать в металл, в обратную сторону это тоже работает. При этом преобразование происходит очень быстро – за 20 фемтосекунд.
Такое преобразование достигается путем изменения электронных свойств материала. Под воздействием лазера электроны в полупроводнике начинают свободное перемещение, позволяя току течь свободно, как в металле. При этом, после прекращения воздействия лазером, оксид цинка быстро возвращается к полупроводниковому состоянию.
Стоит отметить, что при воздействии лазера на материал, он действует как химическое легирование. Кроме того, изменений можно добиться даже при очень низкой мощности лазера.
Таким образом, обнаруженное учеными, свойство позволит разработать сверхбыстрые транзисторы с оптическим управлением.