Высокостабильные твердотельные (DPSS) лазеры с диодной (полупроводниковой) накачкой, излучающие в зеленой области видимого спектра (515 нм, 522 нм, 523,5 нм, 526,5 нм, 532 нм, 543 нм, 550 нм, 552 нм, 555 нм, 556 нм, 561 нм). Наибольшее распространение и практическое применение получили зеленые лазеры с длиной волны 532 нм, так как они отличаются разнообразием технических характеристик и самой доступной технологией изготовления по сравнению с остальными моделями этого ряда. Излучающий блок такого зеленого лазера состоит из полупроводникового диода накачки (808 нм), твердотельного кристалла (1064 нм), нелинейного кристалла (который переводит 1064 нм в 532 нм) и коллимирующей оптики. Помимо этого, на выходе зеленого лазера ставят фильтр от инфракрасного излучения. Драйвер, который обеспечивает стабилизацию по напряжению, вынесен за пределы излучающего блока и включен в состав блока питания. Кроме того, в блок питания встроен контроль температуры и электрического тока, имеется возможность внешней модуляции и регулировки выходной оптической мощности. Мы занимаемся продажей зеленых лазеров и можем Вам предложить: одномодовые, одночастотные, с пониженным шумом, многомодовые, а также работающие в непрерывном (CW) или импульсном (Q-swithched pulsed) режиме твердотельные зелёные лазеры.
Таблица 1. Зелёные лазеры1 производства VIASHO
|
Наименование |
Длина волны, нм |
Выходная мощность2, мВт |
Нестаб. вых. мощности, % |
Размер пучка на выходе, мм |
Расходимость, мрад |
Особенности |
|
Твердотельные 532нм |
||||||
|
VA-I-N-532 |
532 |
50 / 100 / 150 / 200 / 250 / 300 |
< 5 |
< 1,2 |
< 1,2 |
Модовый состав TEM00 |
|
VA-II-N-532 |
532 |
500 / 1000 / 1500 / 2000 / 3000 / 4000 |
< 5 |
1,2±0,2 |
< 1,2 |
|
|
VA-LNS-532 |
532 |
50 / 100 / 200 / 300 |
< 5 |
1,2±0,2 |
1,2±0,2 |
Модовый состав TEM00, шум по амплитуде (RMS) < 1% |
|
VA-I-SLM-532 |
532 |
20 / 50 / 100 / 150 / 200 |
< 5 |
1,2±0,2 |
1,2±0,2 |
Модовый состав TEM00, Single-longitude |
|
1 – Лазер поставляется в комплекте с лазерным драйвером. 2 – В таблице указана максимальная мощность, которая выбирается при заказе. В конструкции лазерного драйвера предусмотрена плавная регулировка выходной мощности по току. |
||||||
Таблица 2. Зелёные лазеры производства CNI
|
Наименование |
Длина волны, нм |
Выходная мощность, мВт |
Нестаб. вых. мощности, % |
Размер пучка на выходе, мм |
Расходимость, мрад |
Особенности |
|
Твердотельные 501 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-SF-501 /1~200mW |
501±1 |
> 10, 50, …, 200 |
< 3, < 5 |
~3 (1/e2) |
< 1 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
Диодные 505 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MDL-XS-505 /1~80mW |
505±3 |
> 1, 2, …, 20, 30, …, 80 |
< 1, < 2, < 3 |
1,2 (1/e2) |
< 1 |
Модовый состав Near TEM00, шум по амплитуде < 1% / < 0,5%, встроенная электроника |
|
MDL-III-505L /1~80mW |
505±3 |
> 1, 2, …, 20, 30, …, 80 |
< 1, < 2, < 3 |
~2,5 / ~1,2 (1/e2) |
0,5 |
Модовый состав Near TEM00, М2 < 1,5 / < 1,2 |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-III-505L /1~80mW |
505±5 |
> 1, 2, …, 20, 30, …, 80 |
< 1, < 2, < 3 |
~2,5 / ~1,2 (1/e2) |
0,5 |
Модовый состав Near TEM00, М2 < 1,5 / < 1,2, шум по амплитуде < 1% |
|
Диодные 510 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MDL-III-510 /1~30mW |
510±5 |
> 1, 2, 3, …, 30 |
< 1, < 2, < 3 |
~3 (1/e2) |
< 1 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-III-510 /1~30mW |
510±5 |
> 1, 2, 3, …, 30 |
< 1, < 2, < 3 |
~3 (1/e2) |
< 1 |
Модовый состав Near TEM00, шум по амплитуде < 1% |
|
Диодные 514,5 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MDL-III-514.5 /1~50mW |
514,5±1 |
> 1, 2, 3, …, 50 |
< 1, < 2, < 3 |
~3 (1/e2) |
< 1 |
Модовый состав Near TEM00, замена аргонового лазера |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-III-514.5 /1~50mW |
514,5±1 |
> 1, 2, 3, …, 50 |
< 1, < 2, < 3 |
~3 (1/e2) |
< 1 |
Модовый состав Near TEM00, шум по амплитуде < 1%, замена аргонового лазера |
|
С узкой спектральной линией |
||||||
|
MDL-E-514.5 /1~20mW |
514,5±0,5 |
> 1, 2, 3, …, 20 |
< 1, < 2, < 3 |
~2,5 (1/e2) |
< 1,5 |
Модовый состав Near TEM00, спектральная ширина линии < 0,06нм (< 0,03 по запросу) |
|
С большой длиной когерентности |
||||||
|
MDL-C-514.5 /1~20mW |
514,5±0,5 |
> 1, 2, 3, …, 20 |
< 1, < 2, < 3 |
~2,5 (1/e2) |
< 1,5 |
Модовый состав Near TEM00, длина когерентности > 1м |
|
Твердотельные 515 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-F-515 /1~100mW |
515±1 |
> 1, 3, 5, …, 100 |
< 10 |
~3 (1/e2) |
< 2 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
MGL-N-515 /100~150mW |
515±1 |
110, 120, …, 150 |
< 3, < 5 |
~2 (1/e2) |
< 1,2 |
Модовый состав TEM00 |
|
MGL-W-515 /200~500mW |
515±1 |
200, 300, 400, 500 |
< 3, < 5 |
~3 (1/e2) |
< 2 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-N-515 /1~100mW |
515±1 |
> 1, 10, 20, …, 100 |
< 1, < 2, < 3, < 5 |
~2 (1/e2) |
< 1,2 |
Модовый состав TEM00, шум по амплитуде < 1% |
|
Одночастотные |
||||||
|
MSL-F-515 /1~20mW |
515±1 |
> 1, 3, 5, …, 20 |
< 1, < 2, < 3 |
< 3 (1/e2) |
< 3 |
Модовый состав TEM00, SLM |
|
Импульсные |
||||||
|
MPL-N-515 /1~30uJ /1~60mW |
515±1 |
Средняя 1~60 |
Средняя < 10 |
~3 (1/e2) |
< 2 |
Модовый состав Near TEM00, длительность импульса ~10нс |
|
Диодные 520 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MDL-XS-520 /1~50mW |
520±5 |
> 1, 2, 3, …, 50 |
< 1, < 2, < 3 |
~1,2 (1/e2) |
< 1 |
Модовый состав Near TEM00, шум по амплитуде < 1% / < 0,5%, встроенная электроника |
|
MDL-III-520L /1~50mW |
520±5 |
> 1, 2, 3, …, 50 |
< 1, < 2, < 3 |
~3 (1/e2) |
< 1 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
MDL-III-520 /1~800mW |
520±10 |
100, 200, …, 800 |
< 1, < 2, < 3 |
~1×3 (1/e2) |
< 4×0,5 |
Модовый состав Multimode |
|
MDL-H-520 /850~1000mW |
520±5 |
>850, 860, …, 1000 |
<1, <2, <3 |
~1×3 (1/e2) |
~4×0,5 |
Модовый состав Multimode |
|
MDL-SD-520 /1500mW |
520±10 |
1500 |
<1, <2, <3 |
~2,6× 2,5 (1/e2) |
<1,2×0,4 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция |
|
MDL-D-520 /3~4W |
520±5 |
3000, 4000 |
<1, <2, <3 |
~3,5×5 (1/e2) |
<1,4×0,8 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция |
|
MDL-XD-520 /5~10W |
520±5 |
>5000, >6000, >7000 |
<1, <2, <3 |
<5×5 (1/e2) |
~3 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция |
|
>8000, >9000, >10000 |
~7.5×5 (1/e2) |
~3 |
||||
|
С большой длиной когерентности |
||||||
|
MDL-C-520 /1~10mW |
520±5 |
>1, 2, 3, …,10 |
<1, <2, <3 |
~3 (1/e2) |
<1 |
Модовый состав Near TEM00, длина когерентности > 1м |
|
С узкой спектральной линией |
||||||
|
MDL-E-520 /1~10mW |
520±5 |
>1, 2, 3, …,10 |
<1, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1 |
Модовый состав Near TEM00, спектральная ширина линии < 0,03нм |
|
TUN-518–522 /1~10mW |
518~ 522 |
>1, 2, 3,…,10 |
<1, <2, <3 |
~3 (1/e2) |
<1 |
Модовый состав Near TEM00, настраиваемая длина волны |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-III-520L /1~50mW |
520±5 |
>1, 2, 3, …, 50 |
<1, <2, <3 |
~3 (1/e2) |
<1 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
MLL-III-520 /1~800mW |
520±10 |
>1, 100, 200, …, 800 |
<1, <2, <3 |
~1×3 (1/e2) |
<4×0,5 |
Модовый состав Multimode |
|
Одномодовые |
||||||
|
TEM-F-520 /1~20mW |
520±5 |
>1,2,3……,20 |
<1, <2, <3 |
~1 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,1 |
|
Наносекундные импульсные |
||||||
|
MDL-NS-520 /1~100mW |
520±5 |
>1, 10, 20, …,50 |
<1, <2, <3 |
~1,2 (1/e2) |
<1 |
Длительность импульса>10нс, 20нс, …,10мкс |
|
>50, 60, …,100 |
Длительность импульса> 15нс, 20нс, …,10мкс |
|||||
|
Пикосекундные импульсные |
||||||
|
MDL-PS-520 /1~30mW |
520±5 |
1~30 |
<1, <2, <3 |
~1,2 (1/e2) |
<1 |
Модовый состав Near TEM00, ширина импульса 100-1000пс (нерегулируемая) |
|
Твердотельные 522 нм |
||||||
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-FN-522 /1~100mW |
522±1 |
>1, 10, 50, … , 100 |
<3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-FN-522 /1~100mW |
522±1 |
>1, 10, 50, … , 100 |
<3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
С узкой спектральной линией |
||||||
|
TUN-518–522 /1~10mW |
518~ 522 |
>1, 2, 3,…,10 |
<1, <2, <3 |
~3 (1/e2) |
<1 |
Модовый состав Near TEM00, настраиваемая длина волны |
|
Твердотельные 526,5 нм |
||||||
|
Одномодовые |
||||||
|
MSL-III-526.5 /1~20mW |
526.5 |
>1, 5, 10, 20, … , 20 |
<2, <3, <5 |
<1,2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2 |
|
MSL-FN-526.5 /20~100mW |
526.5±1 |
>1, 5, 10, 20, … , 100 |
<1, <2, <3 |
<1,5 (1/e2) |
<1,2 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2 |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-FN-526.5 /100~400mW |
526.5±1 |
>1, 10, 50, …, 200 |
<2, <3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00, M2 < 1,5 |
|
>200, …, 400 |
<3, <5 |
|||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-FN-526.5 /100~400mW |
526.5±1 |
>1, 10, 50, …, 200 |
<2, <3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00, M2 < 1,5 |
|
>200, …, 400 |
<3, <5 |
|||||
|
MGL-N-526.5 /400~1000mW |
526.5±1 |
>300, 350, 400, …, 1000 |
<3, <5 |
~3.0 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00, M2 — 3-5 |
|
Импульсные |
||||||
|
AO-S-526.5 /1~20μJ /1~50mW |
526.5±1 |
1~20 |
<3, <5, <10 |
~1,2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00, M2 < 1,5 |
|
MPL-III-526.5 /1~10μJ /1~50mW |
526.5±1 |
1~10 |
<3, <5 |
~1,2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2 |
|
MPL-H-526.5 /10~60μJ /50~150mW |
526.5±1 |
1~60 |
<3, <5 |
~3 (1/e2) |
<2 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,5 |
|
Твердотельные 526,5 нм |
||||||
|
Одномодовые |
||||||
|
MSL-S-530 /1~50mW |
530±1 |
>1, 5, 10, 20,…, 50 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, IP 65/67 |
|
MSL-DS-530 /1~50mW |
530±1 |
>1, 5, 10, 20,…,50 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2 |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-S-530 /1~50mW |
530±1 |
>1, 5, 10, 20,…,50 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2 |
|
Твердотельные 532 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-DS-532 /1~150mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, …,150 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2 |
|
MGL-III-532-AOM |
532±1 |
>1, 10, 20, …,150 |
<1, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1,5 |
Модуляция до 1 МГц |
|
MGL-III-532 /1~300mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, … ,200 |
<1, <2, <3 |
~1.2 (1/e2) |
<1,2 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2 |
|
>200, …, 300 |
<2, <3 |
|||||
|
MGL-S-532 /1~300mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, …,200 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2, IP 65/67 |
|
>1, 5, 10, 20, …,300 |
<2, <3 |
|||||
|
MGL-FN-532-AOM |
532±1 |
>150, 200, …,400 |
<1, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1,5 |
Модуляция до 1 МГц |
|
MGL-FN-532 /1~1500mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, … , 1000 |
<1, <2, <3 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2, |
|
>1000, 1100, …, 1500 |
<2, <3 |
|||||
|
MGL-N-532-AOM |
532±1 |
>400,1000,2000,3000 …, 5000 |
<1, <2, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1,5 |
Модуляция до 1 МГц |
|
MGL-F-532 /1.5~2.5W |
532±1 |
>1.5, 1.6, 1.7, …, 2.5 |
<1, <2, <3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,2 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2, |
|
~1.5 |
||||||
|
MGL-N-532 |
532±1 |
>3, 3,5, 4, …, 5 |
<1, <2, <3, <5 |
~1,5 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,3 |
|
~3 (1/e2) |
Модовый состав Near TEM00, M2 — 3-5 |
|||||
|
OEM-N-532-Water /1~5W |
532±1 |
>1, 1,5, 2, …, 5 |
<1, <2, <3 |
~1,5 (1/e2) |
<1,5 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция |
|
MGL-V-532 /5~15W |
532±1 |
>5, 5,5, …, 10 |
<1, <2, <3 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция, M2 < 1,2 |
|
11, 12, …,15 |
~3 (1/e2) |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция, M2 < 3 |
||||
|
MGL-V-532-HQ /5~15W |
532±1 |
>5, 5,5, …, 10 |
<1, <2, <3 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция, M2 < 1,2 |
|
11, 12, …,15 |
~3 (1/e2) |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция, M2 < 3 |
||||
|
MGL-W-532 /5~20W |
532±1 |
>5, 5,5, 6, …, 20 |
<1, <2, <3, <5 |
~4 (1/e2) |
<2 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция, M2 3-6 |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-III-532 /1~300mW |
532±2 |
>1, 5, 10, 20, …, 200 |
<1, <2, <3 |
~1,2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2, |
|
>200, …, 300 |
<2, <3 |
|||||
|
MLL-S-532 /1~300mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 200 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
IP 65 / IP 67 |
|
>200, …, 300 |
<2, <3 |
|||||
|
MLL-U-532 /1~400mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 300 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2, |
|
>300, …, 400 |
<2, <3 |
|||||
|
MLL-FN-532 /1~1000mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 500 |
<1, <2, <3 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, M2 < 1,2, |
|
>500, 600, …, 1000 |
<1, <2, <5 |
|||||
|
MLL-F-532 /1.5~2.5W |
532±1 |
>1500, 1600, …, 2500 |
<1, <2, <3 |
~2 (1/e2) |
<1,2 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция, |
|
~1500 |
||||||
|
MLL-N-532/3~5W |
532±1 |
~3000 |
<1, <2, <3, <5 |
~1.5 (1/e2) |
<1,5 |
Ширина спектральной линии <0.01 |
|
>3000, 3500, …, 5000 |
||||||
|
MLL-AIO-532 /5~10W |
532±1 |
>5000, 5500, …, 10000 |
<1, <2, <3, |
~2 (1/e2) |
~1 |
Модовый состав TEM00, амплитуда шума <1% |
|
MLL-W-532 /5~20W |
532±1 |
~5000 |
<1, <2, <3, <5 |
~4 (1/e2) |
<2 |
Модовый состав Near TEM00, амплитуда шума <1% |
|
>5000, 5500, …, 20000 |
||||||
|
Одномодовые |
||||||
|
MSL-III-532-AOM /1~30mW |
532±1 |
>1, 5, …, 30 |
<1, <2, <3 |
<1,5 (1/e2) |
<1,2 |
Модуляция до 1 МГц |
|
MSL-III-532 /1~100mW |
532±2 |
>1, 5, 10, 20, …, 100 |
<1, <2, <3 |
<1,5 (1/e2) |
<1,2 |
Модовый состав TEM00, ширина спектральной линии <0.00001 |
|
MSL-S-532 /1~100mW |
532±2 |
>1,5,10, 20, …,100 |
<1, <3, <5 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
IP 65 / IP 67 |
|
MSL-DS-532 /1~100mW |
532±1 |
>1,5,10, 20, …,100 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Интегрированная электроника |
|
MSL-U-532 /1~200mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 200 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00, ширина спектральной линии <0.00001 |
|
MSL-FN-532-AOM |
532±1 |
>100, 150, … , 200 |
<1, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1,5 |
Модуляция до 1 МГц |
|
MSL-FN-532/1~400mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 300 |
<1, <2, <3 |
<1,5 (1/e2) |
<1,2 |
Модовый состав TEM00, ширина спектральной линии <0.00001 |
|
>300, …, 400 |
<2, <3 |
|||||
|
MSL-FN-532-S/1-400mW |
532±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 400 |
<1, <2, <3 |
<1,5 (1/e2) |
<1,2 |
Версия с частотной стабилизацией |
|
MSL-F-532 /400~700mW |
532±1 |
>400, 600, …, 500 |
<1, <2, <3, <5 |
<2,5 (1/e2) |
<1,2 |
Модовый состав TEM00, ширина спектральной линии <0.00001 |
|
500, …, 700 |
<2, <3, <5 |
|||||
|
MSL-RA-532 /700~2000mW |
532±1 |
>700, 800, 900, …, 2000 |
<1, <2, <3 |
<2,5 (1/e2) |
<2 |
Модовый состав TEM00 |
|
MSL-R-532 /700~10000mW |
532±1 |
>700, 800, …, 5000 |
<1, <2, <3 |
<1,5 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
>5000, …, 10000 |
||||||
|
Импульсные |
||||||
|
MPL-III-532 /1~5uJ /1-30mW |
532±1 |
Средняя ~15 |
<1, <2, <3, <5 |
~1,2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
Средняя: ~30 |
||||||
|
MPL-T-532 /1~10uJ /1~180mW |
532±1 |
Средняя: ~3 |
<1, <3, <5 |
~1,2 |
<1,5 |
Длительность импульса ~0.5 нс |
|
Средняя: ~3 |
||||||
|
Средняя: ~180 |
||||||
|
MPL-SU-532 /5~40uJ /1~150mW |
532±1 |
Пиковая: 1,2–10 кВт |
<3, <5, <10 |
~1 |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
Пиковая: 3,8–23 кВт |
||||||
|
MPL-H-532 /5~50uJ /30-150mW |
532±1 |
Пиковая: 1–10кВт |
<1, <2, <3, <5 |
~1 |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
Пиковая ~ 23 кВт |
||||||
|
MPL-U-532 /20~60uJ |
532±1 |
Пиковая: 15–46 кВт |
<1, <3, <5 |
~2 |
<2 |
Модовый состав TEM00 |
|
Пиковая: 5–15 кВт |
||||||
|
MPL-N-532 /50~125µJ /150~1500mW |
532±1 |
Средняя: 150~1500 |
<3, <5 |
~0,8 (1/e2) |
<2 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
AO-N-532 /1~60µJ /1~500mW |
532±1 |
Средняя: 1~500 |
<3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Акустооптическая модуляция |
|
AO-S-532 /1~100μJ /1~250mW |
532±1 |
— |
<3, <5, <10 |
~1,2 (1/e2) |
<1,5 |
Акустооптическая модуляция |
|
~0,3 (1/e2) |
<5 |
|||||
|
AO-Mini-532 /1~100µJ |
532±1 |
— |
<1, <3, <5 |
~2 (1/e2) |
~3 |
Акустооптическая модуляция |
|
AO-W-532 /1~300µJ /1~2W |
532±1 |
1000–2000 |
<3, <5 |
~2,5 (1/e2) |
<2 |
Акустооптическая модуляция |
|
AO-V-532 /1~300µJ /1~8W |
532±1 |
1000—8000 |
<1, <2, <3, <5 |
~1 (1/e2) |
<2 |
Акустооптическая модуляция |
|
AO-L-532 /1~600µJ /1~3W |
532±1 |
1000-3000 |
<1, <2, <3, <5 |
~1 (1/e2) |
~4,5 |
Акустооптическая модуляция |
|
AO-X-532 /1~670µJ /1~20W |
532±1 |
Средняя: 1~20 Вт |
<3, <5 |
~2 (1/e2) |
<2 |
Акустооптическая модуляция |
|
AO-U-532 /500µJ~1mJ /1~3W |
532±1 |
Средняя: 1~3 Вт |
<1, <2, <3, <5 |
~1 (1/e2) |
~4,5 |
Акустооптическая модуляция |
|
EO-XS-532 /1~125µJ /1~5W |
532±1 |
Средняя: 1~5 Вт |
<3, <5 |
~1,5 (1/e2) |
<3 |
Электрооптическая модуляция |
|
EO-S-532 /1~70μJ /1~70mW |
532±1 |
— |
<1, <2, <3, <5 |
~1,3 (1/e2) |
<1,5 |
Электрооптическая модуляция |
|
EO-532-G /0.2~0.5mJ |
532±1 |
— |
<1, <2 |
~1 |
<3 |
Электрооптическая модуляция |
|
EO-532-H /0.5~1mJ |
532±1 |
— |
<1, <2 |
~1 |
<3 |
Электрооптическая модуляция |
|
EO-532-N/0.5~2mJ |
532±1 |
— |
<1, <2 |
~1 |
<3 |
Электрооптическая модуляция |
|
DPS-532-Pico /2~10W |
532±1 |
2~10 Вт |
<1, <3 |
~2 |
— |
Частота повторений 0.1~10 мГц |
|
DPS-532-H /5~10mJ |
532±1 |
— |
<3, <5 |
~2,5 |
<2 |
Длительность импульса <4 нс |
|
DPS-532-E /1.5~4mJ |
532±1 |
— |
<3, <5 |
~1 |
<3 |
Длительность импульса <4 нс |
|
DPS-532-A /1~5mJ |
532±1 |
— |
<3, <5 |
~3 |
<3 |
Длительность импульса <10 нс |
|
DPS-532-B /5~15mJ |
532±1 |
— |
<3, <5 |
<3 |
~1 |
Длительность импульса <10 нс |
|
DPS-532-BS-D /15~50mJ |
532±1 |
— |
<3, <5 |
~5 |
<3 |
Электрооптическая модуляция |
|
DPS-532-Q /2~20mJ |
532±1 |
— |
<3, <5 |
~1,5 |
~2 |
Частота повторений 1000 Гц |
|
~2 |
||||||
|
~2,5 |
||||||
|
~3 |
||||||
|
~4 |
||||||
|
DPS-532-J /1~20mJ |
532±1 |
— |
<3, <5 |
~4 |
<3 |
Электрооптическая модуляция |
|
HPL-532-QT /1~13W |
532±1 |
Средняя: 12–13 Вт |
<3, <5 |
~2 |
<2 |
Модовый состав TEM00 |
|
Пикосекундные |
||||||
|
PS-HR-532 /1~2W |
532±1 |
1000–2000 |
<3, <5 |
~2 (1/e2) |
<3 |
Длительность импульса ~15 пс |
|
PS-R-532 /1~3000mW |
532±1 |
>1, 10, 100, … , 3000 |
<3, <5 |
~1,5 (1/e2) |
<3 |
Длительность импульса 10-20 пс |
|
PS-A1-532 /1mJ/1W |
532±1 |
Средняя: 1000 |
<3, <5 |
~2 (1/e2) |
<3 |
Длительность импульса ~15 пс |
|
PS-B1-532 /1mJ /4W |
532±1 |
Средняя: 4000 |
<3, <5 |
~2 (1/e2) |
<3 |
Длительность импульса ~15 пс |
|
Твердотельные 536 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-F-536 /1~500mW |
536±1 |
>1, 10, 50, …, 200 |
<2, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
>200, 300, …,500 |
<3, <5, <10 |
|||||
|
MGL-FN-536 /1~500mW |
536±1 |
>1, 10, 50, …, 200 |
<2, <3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
>200, 300, …, 500 |
<3, <5, <10 |
|||||
|
Твердотельные 537 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-FN-537 /1~30mW |
537±1 |
>1, 2, …, 30 |
<5, <10 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
Твердотельные 540 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-F-540 /1~500mW |
540±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 200 |
<3, <5 |
~3 (1/e2) |
<2 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
>200, …, 500 |
<3, <5, <10 |
|||||
|
Твердотельные 543 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-FN-543.5 /1~100mW |
543±1 |
>1, 5, 10, 20, … , 100 |
<2, <3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
MGL-FN-543 /1~500mW |
543±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 500 |
<2, <3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
MGL-N-543 /500~1500mW |
543±1 |
>500, 600, 700, …, 1500 |
<3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
Одномодовые |
||||||
|
MSL-FN-543 /1~20mW |
543±1 |
>1, 5, 10, …, 20 Вт |
<1, <2, <3 |
<1,5 (1/e2) |
<1,2 |
Модовый состав TEM00 |
|
С узкой спектральной линией |
||||||
|
MLL-FN-543.5 /1~100mW |
543±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 100 |
<2, <3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Ширина спектральной линии < 0.003 нм |
|
Твердотельные 545 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-FN-545 /1~20mW |
545±1 |
>1, 2, …, 20 |
<5, <10 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
Твердотельные 550 нм |
||||||
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-FN-550 /1~80mW |
550±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 80 |
<3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
MLL-U-550 /1~100mW |
550±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 100 |
<1, <2, <3, <5 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-FN-550 /1~200mW |
550±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 200 |
<3, <5 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
Твердотельные 552 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-FN-552 /1~300mW |
552±1 |
>10,50,100, …, 300 |
<3, <5, <10 |
~2 |
<2 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
MGL-W-552 /300mW~2000mW |
552±1 |
>300,1000, |
<3, <5 |
<3 (1/e2) |
<4 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
Одномодовые |
||||||
|
MSL-FN-552 /1~100mW |
552±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 100 |
<2, <3, <5 |
<1,5 (1/e2) |
<1,2 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
Твердотельные 555 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-FN-555 /1~100mW |
555±1 |
>10,50, …, 100 |
<3, <5 |
~2 |
<2 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
Твердотельные 556 нм |
||||||
|
Одномодовые |
||||||
|
MSL-FN-556 /1~100mW |
556±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 100 |
<1, <2, <3, <5 |
<2 (1/e2) |
<1,2 |
Ширина спектральной линии <0.00001 нм |
|
MSL-FN-556-S /1-100mW |
556±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 100 |
<1, <2, <3 |
<2 (1/e2) |
<1,2 |
Ширина спектральной линии <0.00001 нм |
|
MSL-FN-556-AOM |
556±1 |
>1,10, 20,…,30 |
<1, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1,5 |
Ширина спектральной линии <0.00001 нм |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-FN-556 /1~200mW |
556±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 100 |
<1, <2, <3 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Амплитуда шума <1% |
|
>100, …, 200 |
<2, <3, <5 |
|||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-FN-556 /1~800mW |
556±1 |
>1, 5, 10, 20, … ,500 |
<1, <2, <3 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция |
|
>500, … ,800 |
<2, <3, <5 |
|||||
|
MGL-N-556 /800~1000mW |
556±1 |
>800, 900, 1000 |
<3, <5 |
~4 (1/e2) |
<1,5 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция |
|
MGL-W-556 /1000~2500mW |
556±1 |
>1000, 1100, 1200, …, 2500 |
<3, <5 |
~4 (1/e2) |
<2 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция |
|
MGL-FN-556-AOM /1~100mW |
556±1 |
>1,10, 20, …,100 |
<1, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1,5 |
Модуляция до 1 МГц |
|
MGL-N-556-AOM /100~1000mW |
556±1 |
>100, 500, 1000 |
<3, <5 |
~4 (1/e2) |
<1,5 |
Модуляция до 1 МГц |
|
Импульсные |
||||||
|
HPL-556-Q /20~50W |
556±1 |
1000~20000 |
<3, <5 |
<9 |
<3,5 |
Длительность импульса ~100 нс |
|
Твердотельные 558 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-N-558 /1~500mW |
558±1 |
>1, 50，100，200, 300, …, 500 |
<3, <5 |
~4 (1/e2) |
<1,5 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция |
|
Твердотельные 561 нм |
||||||
|
Высокостабильные |
||||||
|
MGL-S-561 /1~30mW |
561±1 |
>1,2,10……30 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0, 1 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав TEM00 |
|
MGL-FN-561 /1~1000mW |
561±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 500 |
<1, <2, <3 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Внешняя TTL или Аналоговая модуляция |
|
>500, … ,1000 |
<3, <5, <10 |
|||||
|
MGL-N-561 /100~1000mW |
561±1 |
>100, 200, 300, …, 1000 |
<3, <5 |
~4 (1/e2) |
<1,5 |
Модовый состав Near TEM00 |
|
MGL-W-561 /1~2W |
561±1 |
>1000, 1200, 1400, …, 2000 |
<3, <5 |
~4 (1/e2) |
<2 |
Модовый состав Near TEM00
|
|
MGL-FN-561-AOM /1~100mW |
561±1 |
>100, 200, 300, …, 1000 |
<3, <5 |
~4 (1/e2) |
<2 |
Модуляция до 1 МГц |
|
MGL-N-561-AOM /100~1000mW |
561±1 |
>1,10, 20, …,100 |
<1, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<2 |
Модуляция до 1 МГц |
|
С пониженным шумом |
||||||
|
MLL-U-561 /1~200mW |
561±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 100 |
<1, <2, <3 |
0,7± 0,05 (1/e2) |
<1,5 |
Ширина спектральной линии <0.003 нм |
|
>100, 150, …, 200 |
<1, <3, <5 |
|||||
|
MLL-FN-561/1~400mW |
561±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 100 |
<1, <2, <3 |
~2 (1/e2) |
<1,5 |
Амплитуда шума <1% |
|
>100, …, 400 |
<1, <3, <5 |
|||||
|
Одномодовые |
||||||
|
MSL-FN-561 /1~150mW |
561±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 150 |
<1, <2, <3, <5 |
<2 (1/e2) |
<1,2 |
Ширина спектральной линии <0.00001 нм |
|
MSL-FN-561-S /1~80mW |
561±1 |
>1, 5, 10, 20, …, 80 |
<1, <2, <3, <5 |
<2 (1/e2) |
<1,2 |
Ширина спектральной линии <0.00001 нм |
|
MSL-FN-561-AOM /1~50mW |
561±1 |
>1,10, 20, …,50 |
<1, <3, <5 |
~3 (1/e2) |
<1,5 |
Модуляция до 1 МГц |
Данные в таблицах не являются публичной офертой и носят информационный характер.
Если у Вас появились вопросы, Вы желаете купить зелёный лазер, хотите узнать о возможности продажи моделей лазеров, не представленных на сайте, звоните по телефонам: 8 (800) 555-80-53 и +7 (812) 448-08-13 или пишите на электронную почту: [email protected]
С ассортиментов зелёных лазеров российского производства Вы можете ознакомиться на странице сайта.