В Японии разработали новый сканирующий электронный микроскоп с фемтосекундным лазером. Новая система помогает отслеживать быстро меняющиеся состояния материала.
В современном мире растет спрос на быстродействующие устройства. Понимание работы сверхбыстрых полупроводниковых устройств требует всестороннего понимания процессов, протекающих в материале.
Для выявления локальных динамических свойств широкополосных электрических устройств во время работы японская исследовательская группа разработала сверхбыстрый сканирующий электронный микроскоп, который сочетает в себе коммерчески доступный сканирующий электронный микроскоп и фемтосекундный лазер.
Благодаря новому устройству команда ученых успешно визуализировала распределение электрического потенциала на электродах фотопроводящей антенны при переходном отклике, индуцированном оптическим возбуждением фотоносителей в полупроводниковой подложке устройства. Временное разрешение было определено равным 43 пс на основе длительности импульса первичных электронов под действием эффекта пространственного заряда.
Эта инновационная технология обеспечивает бесконтактное сверхскоростное измерение быстро меняющихся электрических состояний, происходящих в полупроводниковом устройстве. Ожидается, что предложенная методика обеспечит новый метод визуализации работы высокочастотных электронных устройств.
Новый сверхбыстрый электронный микроскоп
