Данные лазеры твердотельные (DPSS) с диодной (полупроводниковой) накачкой, излучают в ультрафиолетовом (УФ) диапазоне спектра. Технология производства УФ лазеров связана с множеством трудностей, но, несмотря на это, существуют некоторые источники УФ лазерного излучения. Изготовить Ультрафиолетовые лазеры можно двумя способами. Во-первых, используют твердотельные кристаллы на основе церия (Ce+3:LiCAF или Ce+3:LiLuF4), излучающие в УФ диапазоне, в большинстве случаев кристаллы церия накачивают наносекундными импульсами. Во-вторых, используются твердотельные кристаллы, излучающие в видимом или ближнем ИК диапазонах (Nd:YAG или Nd:YVO4), с последующим преобразованием частоты излучения на нелинейных кристаллах. Например, для генерации длины волны 355 нм используют ИК твердотельный кристалл (1064 нм) с последующим утроением частоты на нелинейном кристалле, а для 266 нм используют ИК твердотельный кристалл (1064 нм) с двумя последующими удвоениями частоты. Немалый интерес представляют собой УФ лазерные диоды на основе GaN и AlGaN, но применение их ограниченно из-за крайней нестабильности. При взаимодействии УФ излучения со следами углеводородов в воздухе на близлежащие поверхности (например, твердотельный и нелинейный кристаллы) оседают органические пленки, что приводит к ухудшению качества излучения, поэтому для более эффективной работы (особенно с длинами волн ≤200 нм) рекомендуют использовать вакуум. УФ излучение может привести к изменению химической структуры вещества (например, к разрыву связей), это свойство используют при производстве брэгговских решеток, а также для стерилизации воды и медицинских инструментов, отверждения компаундных составов (клей, эпоксидная смола). Мощные УФ лазеры эффективно используют для резки и прожигания небольших отверстий в различных материалах, в том числе, материалах, которые являются прозрачными для лазерного излучения видимого диапазона. УФ излучение вызывает флюоресценцию на поверхности некоторых материалов, это явление используют для аналитических исследований (например, контроль качества). Ультрафиолетовые лазеры могут быть непрерывные (CW) или импульсные (Q-switched pulsed). УФ диапазон достаточно перспективен для построения высокоточных информационных лазеров для связи. Использование лазеров для связи оказало большое влияние на развитие телекоммуникационных информационных систем контроля характеристик атмосферы. Повышенный интерес к лазерам для связи обусловлен их отличной пропускной способностью и эффективностью передачи информации.
Таблица 1. Ультрафиолетовые лазеры1производства VIASHO
|
Наименование |
Длина волны |
Выходная мощность2 |
Нестабильность выходной мощности |
Размер пучка на выходе |
Расходимость |
Особенности |
| Диодный 375-395 нм | ||||||
|
375nm UVLaser |
375±5 нм |
10, 50, 100, 150 мВт |
< 1%, < 5% |
Эллипс 2×3 мм |
~1 мрад |
Модовый состав Near TEM00 |
|
VA-I-DC-380-50mW |
380±5 нм |
50 мВт |
< 5% |
1,3×3,1 мм |
2,2×0,8 мрад |
Спектральная ширина линии < 1,5 нм |
| VA-I-DC-380-100mW |
380±5 нм |
100 мВт |
< 5% |
1,5×3,3 мм |
2,2×0,8 мрад |
Спектральная ширина линии < 1,5 нм |
| VA-I-DC-380-150mW |
380±5 нм |
150 мВт |
< 5% |
1,8×3,5 мм |
2,2×0,8 мрад |
Спектральная ширина линии < 1,5 нм |
|
1 – Лазер поставляется в комплекте с лазерным драйвером. |
||||||
Таблица 2. Ультрафиолетовые лазеры1производства CNI
|
Наименование |
Длина волны |
Выходная мощность |
Нестабильность выходной мощности |
Размер пучка на выходе, |
Расходимость |
Особенности |
| Твердотельные 213 нм | ||||||
| Импульсные пикосекундные | ||||||
|
DPS-213-Pico/1~30mW |
213±1 нм |
10, 30 мВт |
< 1%, < 3% |
~2 мм |
< 3 мрад |
Ширина импульса < 50пс |
| Твердотельные 223 нм | ||||||
| Импульсные наносекундные | ||||||
|
EO-XS-223/1~3µJ/1~30mW |
223±1 нм |
Средняя 1~30 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
Эллипс 1×4 мм (1/e2) |
< 3 мрад |
Длительность импульса ~4нс |
| Твердотельные 244 нм | ||||||
| Импульсные наносекундные | ||||||
|
AO-DF -244/1~15mW |
244±1 нм |
Средняя 1~15 мВт |
< 5%, < 10% |
— |
— |
Длительность импульса < 30нс, водяное охлаждение |
| Твердотельные 257 нм | ||||||
| Импульсные наносекундные | ||||||
|
MPL-N-257/0.1~4uJ/1~15mW |
257±1 нм |
Средняя 1~15 мВт |
< 10% |
Эллипс 0,5×2 мм |
— |
Длительность импульса ~10нс, модовый состав NearTEM00 |
| Твердотельные 261 нм | ||||||
| Непрерывные | ||||||
|
UV-F-261/1~5mW |
261±1 нм |
> 1, 2, 3, 4, 5 мВт |
< 10% |
~2 мм |
< 6 мрад |
Модовый состав Near TEM00 |
| Импульсные наносекундные | ||||||
|
MPL-F-261/0.1~4uJ/1~10mW |
261±1 нм |
Средняя 1~10 мВт |
Средняя < 5%, < 10% |
Эллипс ~0,5×2 мм |
— |
Длительность импульса ~4нс, модовый состав NearTEM00 |
| Твердотельные 266 нм | ||||||
| Пассивные импульсные | ||||||
|
MPL-F-266/0.1~3uJ/1~10mW |
266±1 нм |
Средняя 1~10 мВт |
Средняя < 5%, < 10% |
Эллипс ~0,5×2 мм |
— |
Длительность импульса ~5нс, модовый состав NearTEM00 |
|
MPL-Q-266/0.1~3uJ/1~30mW |
266±1 нм |
Средняя 1~30 мВт |
Средняя < 5%, < 10% |
< 1,2 мм |
— |
Длительность импульса ~4нс / ~1,3нс, модовый состав NearTEM00 |
|
MPL-Q1-266/10uJ/10mW |
266±1 нм |
Макс. средняя ~10мВт |
Средняя < 5%, < 10% |
< 1,2 мм |
— |
Длительность импульса ~1нс, модовый состав NearTEM00 |
|
MPL-N-266/0.1~10uJ/1~120mW |
266±1 нм |
Средняя 1~30 / 20~30 /30~120 мВт |
Средняя < 5%, < 10% |
Эллипс ~0,5×2 мм |
Длительность импульса ~1,3нс / ~5нс / ~6нс, модовый состав NearTEM00 |
|
|
MPL-W-266/5~30µJ/50~600mW |
266±1 нм |
Средняя 50~600 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
~2 мм (1/e2) |
< 2 мрад |
Длительность импульса ~5нс, модовый состав NearTEM00 |
| Активные импульсные | ||||||
|
AO-S-266/1-5μJ/1-10mW |
266±1 нм |
Средняя 1~10 мВт |
Средняя < 3%, < 5%, < 10% |
Эллипс ~1,5×0,4 мм |
— |
Длительность импульса ~4нс, модовый состав NearTEM00 |
|
AO-W-266/1~20µJ/1~200mW |
266±1 нм |
Средняя 1~200 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
~2 мм (1/e2) |
< 3,5 мрад |
Длительность импульса 10~15нс |
|
EO-266-G/4~100uJ |
266±1 нм |
— |
Средняя < 2%, < 3% |
~1 мм |
< 3 мрад |
Длительность импульса < 9нс / < 9нс / < 13нс, хорошее качество пучка |
|
EO-266-N/4~150uJ |
266±1 нм |
— |
Средняя < 2%, < 3% |
~1 мм |
< 3 мрад |
Длительность импульса < 5нс / < 5нс / < 13нс / < 10нс |
|
DPS-266-Q/2~5mJ |
266±1 нм |
— |
— |
~1 мм |
< 3 мрад |
Длительность импульса < 5нс / < 5нс / < 13нс / < 10нс |
| Пикосекундные импульсные | ||||||
|
PS-R-266/1~50mW |
266±1 нм |
> 1, 5, 10, …, 50 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
~3 мм (1/e2) |
< 4 мрад |
Длительность импульса 10~20пс, модовый состав TEM00, водяное охлаждение |
|
DPS-266-Pico/100~500mW |
266±1 нм |
200мВт / 500мВт |
Средняя < 1%, < 3% |
~2 мм |
< 3 мрад |
Длительность импульса < 50пс, частота повторений 5МГц |
| Твердотельные 273 нм | ||||||
| Непрерывные | ||||||
|
UV-FN-273 /1~5mW |
273±1 нм |
> 1, 2, 3, 4, 5 мВт |
< 10% |
~1,5 мм (1/e2) |
< 1 мрад |
Модовый состав Near TEM00 |
| Твердотельные 289 нм | ||||||
| Импульсные наносекундные | ||||||
|
AO-K -289/1~50mW |
289±2 нм |
Средняя 1~50 мВт |
< 3%, < 5% |
Эллипс ~1,5×3 мм (1/e2) |
< 1 мрад |
Акусто-оптический импульс, длительность импульса 10±2нс |
| Твердотельные 295 нм | ||||||
| Импульсные наносекундные | ||||||
|
AO-K -295/1~50mW |
295±2 нм |
Средняя 1~50 мВт |
< 3%, < 5% |
Эллипс ~1,5×3 мм (1/e2) |
< 1 мрад |
Акусто-оптический импульс, длительность импульса 10±2нс |
|
AO-DF-295/1~80mW |
295±1 нм |
Средняя 1~80 мВт |
< 5%, < 10% |
— |
— |
Акусто-оптический импульс, длительность импульса ~30нс |
| Твердотельные 303 нм | ||||||
| Непрерывные | ||||||
|
UV-F-303/1~5mW |
303±1 нм |
> 1, 2, 3, 4, 5 мВт |
< 10% |
~3 мм |
< 6 мрад |
Модовый состав Near TEM00 |
| Твердотельные 320 нм | ||||||
| Непрерывные | ||||||
|
UV-F-320/1~20mW |
320±1 нм |
> 1, 2, …, 20 мВт |
< 5%, < 10% |
~1,5 мм |
< 2,5 мрад |
Модовый состав Near TEM00 |
| Импульсные наносекундные | ||||||
|
AO-XF-320/1~6µJ/1~80mW |
320±1 нм |
Средняя 1~80 мВт |
< 3%, < 5% |
~1,5 мм |
< 2 мрад |
Акусто-оптический импульс, длительность импульса < 30нс |
| Твердотельные 335 нм | ||||||
| Непрерывные | ||||||
|
UV-F-335/1~60mW |
335±1 нм |
> 1, 2, …, 60 мВт |
< 3%, < 5%, < 10% |
~1,5 мм |
< 2,5 мрад |
Модовый состав Near TEM00 |
| Импульсные наносекундные | ||||||
|
EO-XS-335/1~50µJ/1~500mW |
335±1 нм |
Средняя 1~500 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
~1,5 мм (1/e2) |
< 3 мрад |
Электро-оптический импульс, длительность импульса ~4нс |
| Твердотельные 349 нм | ||||||
| Высокостабильные непрерывные | ||||||
|
UV-F-349/1~100mW |
349±1 нм |
> 1, 2, …, 100 мВт |
< 3%, < 5%, < 10% |
~1,5 мм |
< 1 мрад |
Модовый состав Near TEM00 |
| Пассивные импульсные | ||||||
|
MPL-F-349/0.1~10µJ/1~30mW |
349±1 нм |
Средняя 1~30 мВт |
Средняя < 5%, < 10% |
~2 мм |
< 1,5 мрад |
Модовый состав NearTEM00, длительность импульса ~4нс |
| Активные импульсные | ||||||
|
AO-S-349/1~8μJ/1~15mW |
349±1 нм |
Средняя 1~15 мВт |
< 3%, < 5%, < 10% |
~0,3 мм |
< 5 мрад |
Модовый состав NearTEM00, длительность импульса 6~10нс |
|
~1,2 мм |
< 1,5 мрад |
|||||
|
AO-V-349/1~267µJ/1~800mW |
349±1 нм |
Средняя 1~800 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
~2 мм (1/e2) |
< 2 мрад |
Длительность импульса ~10нс |
| Твердотельные 351 нм | ||||||
| Пассивные импульсные | ||||||
|
MPL-F-351/0.1~4µJ/1~10mW |
351±1 нм |
Средняя 1~10 мВт |
Средняя < 5%, < 10% |
~2 мм |
< 1,5 мрад |
Модовый состав NearTEM00, длительность импульса ~4нс |
| Активные импульсные | ||||||
|
AO-S-351/1~15μJ/1~30mW |
351±1 нм |
Средняя 1~30 мВт |
Средняя < 3%, < 5%, < 10% |
~0,3 мм (1/e2) |
< 5 мрад |
Модовый состав NearTEM00, длительность импульса 6~10нс |
|
~1,2 мм (1/e2) |
< 1,5 мрад |
|||||
|
AO-V-351/1~167µJ/1~500mW |
351±1 нм |
Средняя 1~500 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
~2 мм (1/e2) |
< 2 мрад |
Длительность импульса ~10нс |
| Твердотельные 355 нм | ||||||
| Пассивные импульсные | ||||||
|
MPL-F-355/0.1~15uJ/1~100mW |
355±1 нм |
Средняя 1~100 мВт |
Средняя < 5%, < 10% |
~2 мм |
< 1,5 мрад |
Модовый состав NearTEM00, длительность импульса ~5нс |
|
MPL-Q-355/0.1~15uJ/1~150mW |
355±1 нм |
Средняя 1~150 мВт |
Средняя < 5%, < 10% |
< 1,2 мм |
Модовый состав NearTEM00, длительность импульса ~4нс / ~1,3нс |
|
|
MPL-N-355/0.1~90uJ/1~800mW |
355±1 нм |
Средняя 1~150 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
Модовый состав NearTEM00, длительность импульса ~1,3нс |
||
|
Средняя 150~800 мВт |
Модовый состав NearTEM00, длительность импульса ~7нс |
|||||
|
MPL-W-355/25~80µJ/400~2000mW |
355±1 нм |
Средняя 400-2000 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
~2 мм (1/e2) |
< 2 мрад |
Модовый состав NearTEM00, длительность импульса ~5нс |
| Активные импульсные | ||||||
|
AO-S-355/1~40μJ/1~100mW |
355±1 нм |
Средняя 1~100 мВт |
Средняя < 3%, < 5%, < 10% |
~1,2 мм (1/e2) |
< 1,5 мрад |
Модовый состав NearTEM00, акусто-оптический импульс, длительность импульса 5~10нс |
|
~0,3 мм (1/e2) |
< 5 мрад |
|||||
|
AO-L-355 /1~100µJ/1~300mW |
355±1 нм |
Средняя 1~300 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
< 2,5 мм (1/e2) |
< 3 мрад |
Акусто-оптический импульс, длительность импульса тип. ~6нс |
|
AO-V-355 /1~100µJ/1~2W |
355±1 нм |
Средняя 1000~2000 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
< 1,5 мм (1/e2) |
< 2 мрад |
Акусто-оптический импульс, длительность импульса тип. ~15нс |
|
AO-V-355-Water /1~250µJ/1~5W |
355±1 нм |
Средняя 1000~5000 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
< 1,3 мм (1/e2) |
< 2 мрад |
Акусто-оптический импульс, длительность импульса тип. ~15нс, водяное охлаждение |
|
EO-XS-355/1~50µJ/1~2W |
355±1 нм |
Средняя 1000~2000 мВт |
Средняя < 3%, < 5% |
~1,5 мм (1/e2) |
< 3 мрад |
Электро-оптический импульс, длительность импульса ~4нс |
|
EO-355-G/4~150uJ |
355±1 нм |
Средняя < 2%, < 3% |
~1 мм |
< 3 мрад |
Электро-оптический импульс, длительность импульса < 6нс / < 6нс / < 13нс, хорошее качество пучка |
|
|
EO-355-N/4~250uJ |
355±1 нм |
Средняя < 2%, < 3% |
~1 мм |
< 3 мрад |
Электро-оптический импульс, длительность импульса < 6нс / < 6нс / < 13нс / < 10нс |
|
|
DPS-355-E/1~2mJ |
355±1 нм |
~1 мм |
< 3 мрад |
Электро-оптический импульс, длительность импульса < 4нс |
||
|
DPS-355-Q/2~10mJ |
355±1 нм |
~2 мм / ~2,5 мм / ~3 мм |
< 3 мрад |
Электро-оптический импульс, длительность импульса < 10нс, водяное охлаждение |
||
| Пикосекундные импульсные | ||||||
|
DPS-355-Pico/100~700mW |
355±1 нм |
Средняя 300 / 700 мВт |
< 1%, < 3% |
~2 мм |
< 3 мрад |
Ширина импульса < 50пс |
|
PS-R-355/1~2000mW |
355±1 нм |
> 1, 5, 10, …, 2000 мВт |
< 3%, < 5% |
~3 мм |
< 4 мрад |
Длительность импульса 10~20пс |
| Твердотельные 360 нм | ||||||
| Высокостабильные | ||||||
|
UV-FN-360 /1~50mW |
360±1 нм |
> 1, 10, 20, …, 50 мВт |
< 3%, < 5%, < 10% |
~1,5 мм (1/e2) |
< 1 мрад |
Модовый состав NearTEM00, без вентилятора |
|
UV-F-360 /1~100mW |
360±1 нм |
> 1, 10, 20, …, 100 мВт |
< 1%, < 2%, < 3%, < 5% |
~1,2 мм (1/e2) |
< 1 мрад |
Модовый состав NearTEM00 |
|
UV-FN-360-PL /100~200mW |
360±1 нм |
110, …, 200 мВт |
< 5%, < 10% |
~1,5 мм (1/e2) |
< 1 мрад |
Модовый состав NearTEM00 |
| С пониженным шумом | ||||||
|
MLL -F-360 /1~50mW |
360±1 нм |
> 1, 2, 3, …, 50 мВт |
< 1%, < 2%, < 3%, < 5% |
~1,5 мм (1/e2) |
< 1 мрад |
Модовый состав NearTEM00, шум по амплитуде < 1% / < 0,5% |
| Одночастотные | ||||||
|
MSL-F-360/1~50mW |
360±1 нм |
> 1, 2, 3, …, 50 мВт |
< 3%, < 5% |
~1,5 мм (1/e2) |
< 1 мрад |
Модовый состав NearTEM00, SLM |
| Диодные 375 нм | ||||||
| Высокостабильные | ||||||
|
MDL-XS-375/1~50mW |
375±5 нм |
> 1, 2, 3, …, 50 мВт |
< 1%, < 2%, < 3% |
~1,2 мм (1/e2) |
< 1 мрад |
Модовый состав NearTEM00, М2 < 1,5, встроенная электроника |
|
MDL-III-375L/1~50mW |
375±5 нм |
10, 20, …, 50 мВт |
< 1%, < 2%, < 3% |
~3 мм (1/e2) |
< 0,5 мрад |
Модовый состав NearTEM00, М2 < 1,5 |
|
MDL-III-380/1~150mW |
380±5 нм |
10, 50, …, 150 мВт |
< 1%, < 2% (< 0,5% по запросу) |
1,5×3,5 мм (1/e2) |
2,3×0,2 мрад |
Модовый состав Multimode |
| MDL-SD-380/150-300mW |
380±5 нм |
150, 200, …, 300 мВт |
< 1%, < 2% |
4×4,5 мм |
1,5 мрад |
Поляризация Вертикальная + Горизонтальная |
|
MDL-III-375/50~400mW |
375±5 нм |
60, …, 150, 200, …, 400 мВт |
< 1%, < 2%, < 3% |
< 1,5×3,5 мм |
~2,3×0,2 мрад |
Модовый состав Multimode |
|
MDL-SD-375/400-800mW |
375±5 нм |
> 400, 500, …, 800 мВт |
< 1%, < 2%, < 3% |
~4×4,5 мм |
~1,5 мрад |
Поляризация Горизонтальная + Вертикальная |
| С узкой спектральной линией | ||||||
|
MDL-E-375/1~20mW |
375±0,5 нм |
> 1, 2, 3, …, 20 мВт |
< 1%, < 2%, < 3% |
~3 мм (1/e2) |
< 0,5 мрад |
Модовый состав NearTEM00, М2 < 1,5, ширина спектральной линии < 0,06нм / < 0,03нм |
| С пониженным шумом | ||||||
|
MLL-III-375L/1~50mW |
375±5 нм |
> 1, 10, 20, …, 50 мВт |
< 1%, < 2%, < 3% |
~3 мм (1/e2) |
< 0,5 мрад |
Модовый состав NearTEM00, шум по амплитуде < 1% |
|
MLL-III-380/1~150mW |
380±5 нм |
> 1, 10, 20, …, 150 мВт |
< 1%, < 2% (< 0,5% по запросу) |
< 1,5×3,5 мм |
~2,3×0,2 мрад |
Модовый состав Multimode, шум по амплитуде < 1% |
|
MLL-III-375/50~400mW |
375±5 нм |
60, …, 150, 200, …, 400 мВт |
< 1%, < 2%, < 3% |
< 1,5×3,5 мм |
~2,3×0,2 мрад |
Модовый состав Multimode, шум по амплитуде < 1% |
|
1 – Лазер поставляется в комплекте с лазерным драйвером. |
||||||
Данные в таблицах не являются публичной офертой и носят информационный характер.
Если у Вас появились вопросы, Вы желаете купить ультрафиолетовый лазер (УФ), хотите узнать о возможности продажи других моделей лазеров, не представленных на сайте, звоните по телефонам: 8 (800) 555-80-53 и +7 (812) 448-08-13 или пишите на электронную почту [email protected].
С ассортиментом УФ лазеров российского производства Вы можете ознакомиться на странице сайта.